在2025 IEEE电子器件技术大会（ECTC）上，英特尔分享了其封装技术的最新进展。其在封装领域的三大关键技术路径包括：提高封装的良率，确保供电稳定可靠，以及通过有效的热管理技术实现散热。
英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术已经投入生产，突破了光罩尺寸的限制，实现了多芯片之间的高速互联。此外，通过硅通孔（TSV）技术，EMIB-T 优化了供电效率，并为集成高速HBM4，以及基于UCIe标准的芯粒提供了简便的解决方案。随着封装尺寸越来越大，集成多芯片的复杂程度也在同步提升。英特尔计划通过探索高精度、大光罩热压键合（TCB）的先进工艺来提高良率和可靠性。随着封装变得越来越复杂，尺寸也越来愈大，热设计功耗（TDP）也在不断增加。为应对散热层面的挑战，英特尔正在研发全新的分解式散热器技术，以及新一代热界面材料。这些创新可以更有效地将热量从热源传递到散热器的各个部分，进而提升整体的散热效率。（全天候科技）
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